IGBT/GTO吸收电容器
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AHD (K5D) 阻尼吸收电容器
容量范围： 0.1μF ~ 10μF
额定电压：1700Vdc ~ 10000Vdc / 1000Vac ~ 7000Vac
应用：主要用于限制电路中过高的电压上升速率，从而保护电力电子设备中的半导体元件及其开关电路；同时还能起到滤波及储能的作用。其主要应用领域包括整流器、SVC装置、机车电源系统等。
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ASH (K8H) IGBT 吸收电容
容量范围： 0.15μF ~ 60μF
额定电压：250Vdc ~ 850Vdc
应用：工业和电机转速控制的开关电容、高频电子安定器、开关电源、谐振电路、感应加热器、高端音频应用。
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ASG (K8G) 吸收电容器 GTO缓冲器
容量范围： 0.068 to 3.0 μF
额定电压：4K to 20K Vdc
应用： 吸收电容器，主要用于电力电子设备，主整流管、晶闸管和GTO的吸收保护。
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ASM (K8M) IGBT Snubber Capacitor
容量范围：0.047 to 10 μF
额定电压：700 to 3000 Vdc
应用：电子镇流器，缓冲器，开关电源。
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ASD (K8D) IGBT 吸收电容器
容量范围: 0.0068 to 8.5 μF
额定电压: 700 to 3000 Vdc
应用：专为缓冲器/脉冲应用设计。适用于需要极其可靠接触的高脉冲和高频应用，例如IGBT应用。 风力变流器、中高频感应供暖、电动汽车、电压电、AP、逆变器。
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ASB (K8B) 感应加热 吸收电容器
容量范围： 0.0047 to 5.6 μF
额定电压： 700 to 3000 Vdc
应用：应用：专为缓冲器/脉冲应用设计。适用于需要极其可靠接触的高脉冲和高频应用，例如IGBT应用。 风力变流器、中高频感应供暖、电动汽车、电压电、AP、逆变器。
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ASL (K8L) IGBT 吸收电容器 -- 高脉冲
容量范围: 0.001 to 1.5 μF
额定电压: 630 to 2000 Vdc
应用：高脉脉冲，专为缓冲器/脉冲应用设计。适用于需要极其可靠接触的高脉冲和高频应用，例如IGBT应用。 风力变流器、中高频感应供暖、电动汽车、电压电、AP、逆变器。
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ASR (K8R) IGBT 模块电容器
容量范围：0.047 to 3.5 μF
额定电压：600 to 1200 Vdc
应用：适用于需要极其可靠接触的高脉冲和高频应用，例如IGBT应用。 风力变流器、中高频感应供暖、电动汽车、电压电、AP、逆变器
